3 Minuty
Přehled: Vysvětlení upgradu RAM u S26 Ultra
Nadcházející vlajková loď Samsungu, Galaxy S26 Ultra, slibuje významný pokrok v oblasti paměťového výkonu. Podle uniklých informací má být telefon vybaven pamětí LPDDR5X s rychlostí až 10,7 gigabitů za sekundu (Gbps), což posouvá laťku oproti modelu Galaxy S25 Ultra s jeho 9,6Gbps moduly. Tato rychlejší paměť — zřejmě typ Micron 1γ (1-gamma) LPDDR5X — je navržena pro náročné úlohy, včetně využití umělé inteligence přímo v zařízení a aplikací pracujících s velkým množstvím dat.
Hlavní vlastnosti produktu
Rychlejší paměť LPDDR5X
S26 Ultra by měla být osazena operační pamětí LPDDR5X DRAM s propustností 10,7Gbps, což povede k vyšší šířce pásma během víceúlohového zpracování, hraní her a využití AI. Vyšší propustnost minimalizuje úzká místa a umožňuje čipu a neuronovým jednotkám rychlejší reakce.
Lepší energetická efektivita
Podle Micronu spotřebuje 1γ proces až o 20 % méně energie ve srovnání s 1β LPDDR5X. Výsledkem je pomalejší vybíjení baterie při náročných operacích, delší doba svícení displeje a snížené zahřívání komponent během velkého zatížení.
Kompaktnější rozměry balení
Nová DRAM jednotka má tloušťku přibližně 0,61 mm, což znamená úsporu prostoru. Tento zisk mohou vývojáři využít například pro větší fotografický senzor, objemnější baterii nebo k zeštíhlení samotného zařízení.
Srovnání: Galaxy S26 Ultra vs. S25 Ultra
Předchozí Galaxy S25 Ultra používal LPDDR5X paměti založené na Micron 1β procesu (díky potížím v dodavatelském řetězci použit i Micron), zatímco S26 Ultra přechází na 1γ nebo srovnatelné 10,7Gbps moduly Samsungu. Tento krok přinese následující zlepšení:
- Propustnost: 10,7Gbps oproti 9,6Gbps — rychlejší zpracování aplikací a multitaskingu.
- Efektivita: až o 20 % nižší spotřeba při paměti generace 1γ.
- Teplota a spolehlivost: nový proces řeší dřívější problémy s přehříváním.
- Úspora místa: tenčí paměťové moduly umožňují lepší uspořádání součástek a rozšíření funkcí.
Výhody a praktické využití
Uživatelé se mohou těšit na svižnější spouštění aplikací, pohodlnější plynulé přechody mezi více programy najednou i lepší odezvu u funkcí využívajících AI, jako je zpracování obrázků nebo rozpoznávání hlasu přímo v zařízení. Hráči a tvůrci obsahu získají z vyšší paměťové propustnosti výraznou výhodu při grafických výpočtech nebo při práci s velkými soubory. Rovněž profesionálové využívající datově náročné aplikace zaznamenají kratší odezvu a větší efektivitu.
Význam pro trh a informace o dodavatelích
Dle dostupných zdrojů je hlavním dodavatelem 1γ LPDDR5X společnost Micron, avšak Samsung má k dispozici i svůj vlastní DRAM modul o rychlosti 10,7Gbps, který byl již v minulosti avizován. Počáteční obtíže se samotným LPDDR5X procesem u S25 zapříčinily širší škálu dodavatelů, a testování i křížová kontrola zdrojů pokračují i pro řadu S26. Bez ohledu na výrobce však může zákazník očekávat obdobný nárůst výkonu a sníženou spotřebu.
Závěr
Model Galaxy S26 Ultra slibuje propojení nové generace čipsetu s podstatně rychlejší a úspornější pamětí LPDDR5X. Tato kombinace přinese zvýšení výkonu při využití umělé inteligence, delší výdrž baterie a více prostoru pro další inovativní hardwarové prvky — což by mohlo Samsungu napomoci upevnit jeho pozici na dynamickém trhu chytrých telefonů.
Zdroj: phonearena

Komentáře