Huawei zahajuje vývoj pokročilých 3nm čipů nové generace

Huawei zahajuje vývoj špičkových 3nm čipů

Společnost Huawei posouvá hranice výroby polovodičů a zahajuje ambiciózní projekt vývoje dvou moderních 3nm čipů. Přestože čelí přísným americkým sankcím, které omezují přístup k nejnovějším technologiím v oblasti výroby čipů, čínský technologický gigant je odhodlaný zvyšovat své schopnosti v oblasti polovodičových technologií. Tento krok naznačuje zásadní posun v globálním odvětví výroby čipů.

Dvojí strategie: GAA FET a uhlíkové nanotrubice

Podle informací z oboru a tchajwanských médií uplatňuje Huawei dynamickou dvojí strategii. První směr se zaměřuje na vývoj 3nm čipu využívajícího tranzistorovou architekturu Gate-All-Around (GAA) FET, která je známá zvyšováním energetické efektivity a výkonu procesorů. Druhý, ještě průkopnější směr, se zabývá vývojem polovodičů založených na technologii uhlíkových nanotrubic (CNT), což by mohlo znamenat skok za limity tradičních křemíkových čipů. Oba návrhy cílí na klíčový milník tape-out v roce 2026 a v případě příznivého technologického postupu je možný start sériové výroby již v roce 2027.

Stavba na předchozích úspěších a překonávání technologických překážek

Strategie Huawei navazuje na nedávné úspěchy, mezi které patří například 5nm čip Kirin X90 vyráběný společností SMIC i bez přístupu k pokročilé EUV litografii od firmy ASML. Využíváním hluboké ultrafialové (DUV) litografie a sofistikovaných technik vícenásobného patterningu dosáhl SMIC výroby těchto čipů, byť s relativně nízkou výtěžností – kolem 20 % oproti průmyslovým lídrům, jako jsou TSMC a Samsung, kteří využívají EUV litografii pro své 3nm procesy.

Čipy založené na technologii GAA FET mohou nabídnout vyšší výkon a úspornější provoz oproti dřívějším generacím Kirin, zatímco inovace s uhlíkovými nanotrubicemi představuje možnost překonání omezení tradičního křemíku. Komerční využití této technologie je však dosud nejisté.

Výzvy, konkurence a budoucnost polovodičového průmyslu

Hlavní překážkou zůstává výtěžnost výroby, která se na úrovni 3nm může dále snížit kvůli limitacím současné DUV technologie – to významně navyšuje náklady a složitost výroby. Huawei však intenzivně investuje – přes 37 miliard dolarů – do rozvoje vlastní domácí EUV litografie. Někteří odborníci vyjadřují optimismus, že Huawei může dosáhnout zásadních průlomů v oblasti EUV již do roku 2026, což by mohlo snížit závislost na zahraničních dodavatelích. Přesto však přetrvávají pochybnosti, neboť zavedení hráči jako ASML mají v oblasti EUV dlouholeté zkušenosti a silnou pozici.

Vliv na trh a globální význam

Pokud se Huawei podaří uvést konkurenceschopné 3nm čipy s architekturami GAA FET a potenciálně i na bázi uhlíkových nanotrubic, mohla by výrazně zmenšit náskok polovodičových gigantů TSMC a Samsung. Tím by Čína posílila svou pozici v globálním závodu o nejpokročilejší čipy a celému odvětví by přinesla větší inovace i konkurenci. Přesto musí Huawei překonat přetrvávající výzvy – nízkou výtěžnost a závislost na DUV výrobě.

Jak se blíží rok 2026, svět technologií bude pečlivě sledovat další pokroky a možná průlomová oznámení Huawei, která by mohla zásadně proměnit globální polovodičový trh.