Samsung souhlasil s požadavkem Nvidie, aby části vlastního vysoce výkonného paměťového řešení HBM4E, uváděného na trh jako NVHBM, byly vyráběny pomocí 3nm procesu TSMC.
Rozsah požadavku Nvidie a role NVHBM
Nvidia požádala své tři hlavní dodavatele HBM, aby určité části paměťových komponent vyráběli pomocí 3nm litografie TSMC, s cílem zajistit jednotný výkon a zjednodušit ověřování napříč dodavateli. Jde o vlastní čipy HBM4E, které Nvidia označuje jako NVHBM a které jsou určeny pro využití v její infrastruktuře pro umělou inteligenci.
- Micron
- SK hynix
- Samsung
Rozdělení výroby waferů a interní proces Samsungu
Zatímco část výroby waferů pro NVHBM bude směrována do 3nm procesu TSMC, jiné části paměťových vrstev budou vyráběny ve vlastních továrnách Samsungu s využitím šesté generace litografie společnosti, známé jako proces 1c. Samsung již dříve spolupracoval s TSMC při balení čipů, ale to, že by TSMC zajišťovala výrobu waferů pro paměti navržené Samsungem, je v historii výroby Samsungu bezprecedentní.
Napsat komentář
Komentáře
Zatím žádné komentáře. Buďte první.